半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
T/IAWBS 013-2019
- 标准号
- T/IAWBS 013-2019
- 标准名称
- 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
- 英文名称
- The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2019-12-27
- 实施日期
- 2019-12-31
- ICS 分类
- 29.045 半导体材料
- 起草单位
- 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟;中国电子科技集团公司第二研究所;北京世纪金光半导体有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 发布部门
- 团体标准-中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟