SiC晶片的残余应力检测方法

T/IAWBS 008-2019
标准号
T/IAWBS 008-2019
标准名称
SiC晶片的残余应力检测方法
英文名称
Experimental method for residual stress in SiC wafers
状态
现行
发布日期
2019-12-27
实施日期
2019-12-31
ICS 分类
29.045 半导体材料
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟;北京聚睿众邦科技有限公司;北京航空航天大学;北京三平泰克科技有限责任公司
发布部门
团体标准-中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
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