4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

标准号

T/IAWBS 007-2018

标准名称

4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

英文名称

Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance

状态

现行

发布日期

2018-12-06

实施日期

2018-12-17

ICS 分类

29.045 半导体材料

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟;东莞市天域半导体科技有限公司;全球能源互联网研究院;瀚天天成电子科技（厦门）有限公司;中国电子科技集团公司第二研究所;西安电子科技大学;中国科学院半导体研究所

发布部门

团体标准-中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟