碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法
T/CASAS 016-2022
- 标准号
- T/CASAS 016-2022
- 标准名称
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法
- 英文名称
- Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2022-07-18
- 实施日期
- 2022-07-18
- ICS 分类
- 31.080.01 半导体器分立件综合
- 起草单位
- 工业和信息化部电子第五研究所;中国电子科技集团第五十五研究所;南方电网科学研究院有限责任公司;国网智能电网研究院有限公司;西安交通大学;东南大学;山东大学;南京航空航天大学;深圳基本半导体有限公司;东莞南方半导体科技有限公司;北京第三代半导体产业技术创新战略联盟.
- 发布部门
- 团体标准-北京第三代半导体产业技术创新战略联盟