碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
T/CASAS 015-2022
- 标准号
- T/CASAS 015-2022
- 标准名称
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- 英文名称
- Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2022-07-18
- 实施日期
- 2022-07-18
- ICS 分类
- 31.080.01 半导体器分立件综合
- 起草单位
- 工业和信息化部电子第五研究所;江苏宏微科技股份有限公司;国网智能电网研究院有限公司;深圳市禾望电气股份有限公司;佛山市国星光电股份有限公司;中国电子科技集团集团第五十五研究所;比亚迪半导体股份有限公司;深圳基本半导体有限公司;中国航天科技集团公司第八研究院第八0八研究所;南方电网科学研究院有限责任公司;西安交通大学;东莞南方半导体科技有限公司;北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 发布部门
- 团体标准-北京第三代半导体产业技术创新战略联盟