碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
T/CASAS 014-2021
- 标准号
- T/CASAS 014-2021
- 标准名称
- 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
- 英文名称
- Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2021-11-01
- 实施日期
- 2021-12-01
- ICS 分类
- 31-030(电子技术专用材料)
- 起草单位
- 广州南砂晶圆半导体技术有限公司;山东大学;深圳第三代半导体研究院;广东芯聚能半导体有限公司;中国科学院半导体研究所;北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 发布部门
- 团体标准-北京第三代半导体产业技术创新战略联盟