半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
T/CASAS 009-2019
- 标准号
- T/CASAS 009-2019
- 标准名称
- 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
- 英文名称
- Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2019-11-25
- 实施日期
- 2019-11-25
- ICS 分类
- 31.080.01 半导体器分立件综合
- 起草单位
- 北京科技大学;中国科学院半导体研究所;北京国联万众半导体有限公司;山东大学;河北同光晶体有限公司;广州南砂晶圆半导体技术有限公司;广东芯聚能半导体有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所;中科钢研节能科技有限公司;深圳第三代半导体研究院
- 发布部门
- 团体标准-北京第三代半导体产业技术创新战略联盟