4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
T/CASAS 004.2-2018
- 标准号
- T/CASAS 004.2-2018
- 标准名称
- 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
- 英文名称
- The Metallographs Collection for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2018-11-20
- 实施日期
- 2018-11-20
- ICS 分类
- 31.080.01 半导体器分立件综合
- 起草单位
- 东莞市天域半导体科技有限公司;全球能源互联网研究院有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;中国科学院微电子研究所;株洲中车时代电气股份有限公司;山东天岳晶体材料有限公司;瀚天天成电子科技(厦门)有限公司;山东大学;台州市一能科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所;深圳第三代半导体研究院
- 发布部门
- 团体标准-北京第三代半导体产业技术创新战略联盟