制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

标准号

GB/T 36646-2018

标准名称

制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

英文名称

Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

状态

现行

发布日期

2018-09-17

实施日期

2019-01-01

ICS 分类

31.220 电子电信设备用机电元件

CCS 分类

L95 电子工业生产设备综合

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位

中国电子技术标准化研究院;东莞市中镓半导体科技有限公司

发布部门

国家市场监督管理总局